Микроэлектроника: 3D NAND стала лидирующей технологией производства флэш-памяти

30.09.2018, MForum.ru

По данным DigiTimes, доля 64- и 72-слойных микросхем 3D NAND в общем объеме флэш-памяти превысила 60%. И это в среднем, у лидеров рынка, таких как Samsung Electronics этот показатель достигает 85%, у Micron - 90%.

Рост плотности чипов 3D NAND на фоне снижения их стоимости приводит к росту объемов памяти в смартфонах - в 2019 году большинство флагманских моделей смогут похвастаться памятью в 512 ГБ.

Несмотря на рост числа компаний, желающих заниматься производством чипов памяти, Топ-5 в 2018 году не изменится, это по-прежнему будут Samsung Electronics, Toshiba, Western Digital, Micron и SK Hynix. Подробнее: dailycomm.ru.

Подписывайтесь на Telegram-канал, посвященный микроэлектронике

теги: микроэлектроника Китай китайская контрактное производство TSMC

+ +

Публикации по теме:

17.03. [Новости компаний] Микроэлектроника: Производители NAND flash собираются повышать цены / MForum.ru

20.02. [Новости компаний] Микроэлектроника: 4.7 Гбит/с, 332 слоя – Kioxia и SanDisk совместно представили новое решение 3D NAND флэш памяти / MForum.ru

10.01. [Новости компаний] Микроэлектроника: По данным SEMI, в 2025 году в мире планируется запуск строительства 18 новых фабрик / MForum.ru

23.11. [Новости компаний] Микроэлектроника: Китай сокращает разрыв с Кореей и Тайванем в производстве памяти и других микросхем / MForum.ru

22.04. [Новости компаний] Южная Корея - микроэлектроника / MForum.ru