MForum.ru
20.02.2025,
Это решение для применения в ИИ-моделях, которое компании представили на академической конференции 2025 IEEE ISSCC. Важно не только рекордное число слоев – 332, но и рекордная для NAND flash скорость работы интерфейса – до 4.8 Гбит/с.
Решение основывается на использовании стандарта Toggle DDR6.0 и протокола SCA. Заявляемая скорость 4.8 Гбит/c на 33% выше, чем у продуктов «8-го поколения».
Мало того, данное решение отличается сниженным энергопотреблением. За счет применения технологии PI-LTT достигается сокращение энергопотребления при вводе данных на 10% и при считывании – на 34%.
Плотность хранения данных в новинке за счет 332 слоев и оптимизированной раскладки ячеек выросла на 59%.
Kioxia и SanDisk продолжат работу над 9-м и 10-м поколением 3D-flash памяти.
9-е поколение опирается на технологию CBA и будет использовать новую CMOS технологию, чтобы повысить высокой производительности.
В 10-м поколении ожидается дальнейший рост емкости, скорости и оптимизация потребления энергопотребления, чтобы соответствовать растущим требованиям ИИ-ЦОД и компаний, разрабатывающих ИИ.
CBA – это CMOS under Array, в контексте памяти NAND flash – это подход, когда управляющие логические схемы (контролллеры, декодеры, драйверы) располагают под массивом ячеек памяти, а не рядом с ними, как раньше.
--
За новостями телекома и IT удобно следить в телеграм-канале abloud62. Региональные новости и анонсы пресс-релизов вы найдете в канале abloudRealTime, также подключайтесь к каналу Бойко про телеком ВКонтакте
теги: микроэлектроника NAND flash число слоев рекорды память
--
Публикации по теме:
17.03. [Новости компаний] Микроэлектроника: Производители NAND flash собираются повышать цены / MForum.ru
10.01. [Новости компаний] Микроэлектроника: По данным SEMI, в 2025 году в мире планируется запуск строительства 18 новых фабрик / MForum.ru
23.11. [Новости компаний] Микроэлектроника: Китай сокращает разрыв с Кореей и Тайванем в производстве памяти и других микросхем / MForum.ru
22.04. [Новости компаний] Южная Корея - микроэлектроника / MForum.ru
15.04. [Новости компаний] Микроэлектроника: Samsung вырвалась в лидеры по числу слоев памяти V-NAND / MForum.ru
03.10. [Новинки] Слухи: Появились подробности о Honor Magic 8, Magic 8 Pro и MagicPad 3 Pro / MForum.ru
02.10. [Новинки] Анонсы: Huawei Nova 14i представлен официально / MForum.ru
02.10. [Новинки] Анонсы: Realme 15x с защитой "IP69 Pro" представлен официально / MForum.ru
01.10. [Новинки] Анонсы: Представлен Vivo V60 Lite 4G с аккумулятором емкостью 6500 мАч и быстрой зарядкой мощностью 90 Вт / MForum.ru
01.10. [Новинки] Анонсы: Realme P3 Lite 4G появился в ЕС / MForum.ru
30.09. [Новинки] Анонсы: Vivo V60e появится в Индии / MForum.ru
29.09. [Новинки] Анонсы: Xiaomi 15T и 15T Pro представлены официально / MForum.ru
26.09. [Новинки] Анонсы: Xiaomi 17 со Snapdragon 8 Elite Gen 5 представлен официально / MForum.ru
25.09. [Новинки] Анонсы: Vivo V60 Lite 5G представлен официально / MForum.ru
25.09. [Новинки] Анонсы: Qualcomm официально представила Snapdragon 8 Elite Gen 5 / MForum.ru
24.09. [Новинки] Слухи: Использование инновационного экрана в iQOO 15 подтверждено официально / MForum.ru
23.09. [Новинки] Анонсы: MediaTek официально представила флагманский чипсет Dimensity 9500 / MForum.ru
23.09. [Новинки] Анонсы: Realme GT 8 и GT 8 Pro представят в следующем месяце / MForum.ru
22.09. [Новинки] Анонсы: Vivo Y50i представлен официально
19.09. [Новинки] Анонсы: Redmi 15C 5G появился в некоторых странах ЕС / MForum.ru
19.09. [Новинки] Слухи: Xiaomi Pad 8 может получить чипсет Snapdragon 8 Elite / MForum.ru
19.09. [Новинки] Слухи: Vivo V60 Lite 4G готовится к анонсу / MForum.ru
18.09. [Новинки] Слухи: Смартфон Xiaomi 17 Pro замечен в Geekbench / MForum.ru
17.09. [Новинки] Анонсы: Компания BOE представила дисплей ADS Pro / MForum.ru
16.09. [Новинки] Анонсы: Vivo Y31 5G и Y31 Pro 5G официально представлены в Индии / MForum.ru