Новосибирский завод "Экран-оптические системы" приступил к производству нитридгаллиевых, GaN, пластин. Для этого ранее была приобретена установка молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) у компании Riber, Франция. Отработкой технологических процессов первоначально занимались в лаборатории МЛЭ ИФП СО РАН им. А.В.Ржанова. Установка позволяет создавать пластины с полупроводниковыми гетероструктурами на основе арсенида галлия, GaAs, и нитрида галлия, GaN. Эти материалы, особенно GaN, считаются перспективными при изготовлении СВЧ-полупроводников, например, для оборудования 5G. Стоимость проекта оценивается в 30 млн евро. / futurerussia.gov.ru