Терагерцы: Новая система MIT сможет обеспечить эффективный вход в терагерцы

MForum.ru

Терагерцы: Новая система MIT сможет обеспечить эффективный вход в терагерцы

23.02.2025, MForum.ru


Люди давно стремятся к использованию терагерцовых волн, поскольку это обещает высокоскоростную связь, сверхбыструю передачу данных, расширенную медицинскую визуализацию и точный мониторинг окружающей среды. Возможны и применения в приложениях контроля качества в промышленности, в решениях безопасности. Но мешают технологические ограничения.

Что конкретно мешает?

Взаимодействие терагерцовых волн с веществом зависит от его диэлектрической проницаемости. К сожалению, кремний имеет высокую диэлектрическую проницаемость, намного выше, чем у воздуха. Поэтому большинство терагерцовых волн, сформированных терагерцовым генератором, отражается на границе кремний-воздух. Для решения этой проблемы обычно используют кремниевые линзы, фокусирующие волны в более мощный пучок. Но эти линзы велики по размерам, что затрудняет их интеграцию с кремниевой электроникой и практическое использование.

В MIT (EECS) разработали безлинзовый метод, основанный на согласовании диэлектрической проницаемости воздуха с его коэффициентом 1 и кремнием с его 11. На тыльную сторону чипа был помещен тонкий лист коммерчески доступного материала с коэффициентом больше, чем у воздуха, но меньше, чем у кремния. Теперь вместо одного перехода их два, но каждый – меньше по величине, что упрощает для волн их прохождение. Лазером в листе сформированы микроотверстия, подгоняющие диэлектрическую проницаемость к оптимальному значению, оптимизирующему прохождение терагерцовых волн через границу сред. 

Кроме того, была задействована система усилителя-умножителя сигнала терагерцового диапазона с использованием более СВЧ-транзисторов, разработанных Intel. В отличие от традиционных КМОП, эти транзисторы обладают более высокой максимальной частотой работы и напряжением пробоя.

«Более мощные транзисторы, лист диэлектрика и несколько других небольших инноваций, позволили нам превзойти параметры нескольких других устройств», - утверждает Джинчен Ван, ведущий автор исследования. «Чип генерировал терагерцовые сигналы с пиковой мощностью 11,1 дБм, что является лучшим показателем».

Для использования терагерцовых волн в практических целях этого мало, нужен не один чип-генератор, а массив из нескольких десятков или сотен чипов, с высокой плотностью их размещения. Этот массив позволит создать фазированную решетку источников терагерцового излучения, способную формировать мощный управляемый луч. Над созданием такого устройства исследователи работают сейчас.

Одной из сложной задач было решить проблему управления мощностью и температурой, тем более, что многие стандартные методы проектирования КМОП-чипов в этой ситуации неприменимы. Если в итоге все получится, можно с уверенностью прогнозировать, что терагерцовые модули будут интегрироваться в самые разные электронные устройства.

Исследование частично поддерживается Лабораторией реактивного движения NASA и Программой стратегического университетского исследовательского партнерства, а также Центром интегральных схем и систем Массачусетского технологического института. Чип был изготовлен в рамках программы Intel University Shuttle.

--

За новостями телекома и IT удобно следить в телеграм-канале abloud62. Региональные новости и анонсы пресс-релизов вы найдете в канале abloudRealTime, также подключайтесь к каналу Бойко про телеком ВКонтакте

теги: микроэлектроника терагерцовое СВЧ

-- 

© Алексей Бойко, MForum.ru


Публикации по теме:

14.06. [Новости компаний] Микроэлектроника: В Китае впервые выделили рубидий из хлорида калия / MForum.ru

14.06. [Новости компаний] Микроэлектроника: AMD заявляет, что ее новые чипы ИИ могут превзойти чипы Nvidia / MForum.ru

09.06. [Новости компаний] Базовые станции: Иртея будет получать микросхемы Микрон в рамках форвардного контракта / MForum.ru

05.06. [Новости компаний] Микроэлектроника: GlobalFoundries увеличивает инвестиционные планы до $16 млрд / MForum.ru

05.06. [Новости компаний] Микроэлектроника: Чипы Nvidia демонстрируют успехи в обучении крупнейших AI / MForum.ru

Обсуждение (открыть в отдельном окне)

В форуме нет сообщений.

Новое сообщение:
Complete in 2 ms, lookup=0 ms, find=2 ms

Последние сообщения в форумах

Ничего не найдено.

Все форумы »



Поиск по сайту:

Подписка:

Подписаться
Отписаться


Новости

13.08. [Новинки] Слухи: Появились новые данные о чипсете iPhone 17 Air / MForum.ru

13.08. [Новинки] Анонсы: Poco M7 Plus 5G официально представлен в Индии / MForum.ru

13.08. [Новинки] Анонсы: Infinix Hot 60i 5G появится в Индии с 16 августа / MForum.ru

12.08. [Новинки] Слухи: Tecno MegaPad с 12-дюймовым экраном и AI-кнопкой готовится к анонсу / MForum.ru

12.08. [Новинки] Слухи: Появились новые подробности об iPhone 17 Pro / MForum.ru

11.08. [Новинки] Анонсы: HTC Wildfire E4 Plus представлен официально / MForum.ru

11.08. [ПО] Анонсы: Realme изменила подход к выпуску обновлений ПО / MForum.ru

08.08. [Новинки] Слухи: Подтверждены основные характеристики Infinix Hot 60i 5G / MForum.ru

08.08. [Новинки] Анонсы: Redmi 15 5G с АКБ 7000 мАч представлен официально / MForum.ru

08.08. [Новинки] Анонсы: Honor 400 Smart с АКБ 6500 мАч появился в Европе / MForum.ru

07.08. [Новинки] Слухи: Exynos 1680 замечен в листинге Geekbench 6 / MForum.ru

07.08. [Новинки] Слухи: Появились подробности о Moto G06 / MForum.ru

06.08. [Новинки] Слухи: Раскрыты подробности о спецификациях Nubia Z80 Ultra / MForum.ru

05.08. [Новинки] Анонсы: Vivo Y400 5G с чипсетом чипсет Snapdragon 4 Gen 2 представлен официально / MForum.ru

05.08. [Новинки] Анонсы: Honor Play 70 Plus получил Snapdragon 6s Gen 3 и АКБ 7000 мАч / MForum.ru

04.08. [Новинки] Анонсы: Бюджетный смартфон Vivo Y04s представлен официально / MForum.ru

04.08. [Новинки] Слухи: Oukitel WP210 готовится к анонсу / MForum.ru

01.08. [Новинки] Анонсы: Vivo T4R представлен официально / MForum.ru

01.08. [Новинки] Слухи: Игровой смартфон Infinix GT 30 5G+ готовится к анонсу / MForum.ru

01.08. [Новинки] Слухи: iQOO Z10 Turbo + будет оснащен литий-ионным аккумулятором емкостью 8000 мАч / MForum.ru