MForum.ru
09.01.2025,
MRAM – одно из направлений, которое считается потенциально перспективным в плане создания замены для традиционных решений RAM. В пользу MRAM – высокая скорость работы, высокая емкость, повышенная долговечность и энергонезависимое хранение данных.
В RAM для хранения данных требуется постоянное энергопитание, обновляющее заряд в конденсаторах. В MRAM магнитные состояния стабильны и не требуют постоянной регенерации. С другой стороны, для переключения вектора намагниченности в разработках на основе управления электрическим током, требуется сравнительно большой ток, что не устраивает индустрию.
В Университете Осаки за основу MRAM нового типа взяли «мультиферроидную гетероструктуру», которую можно переключать электрическим полем. Об эффективности этой структуры позволяет судить обратный магнитоэлектрический коэффициент связи (CME). Первоначально ученые добились коэффициента CME более 10^-5 с/м на основе гетероструктуры Co2FeSi. Далее, чтобы повысить стабильность конфигурации, между пьезоэлектрическим и ферромагнитными слоями ввели тонкий слой ванадия (V). Это позволило сохранить высокий CME, еще более его увеличив, (что хорошо, так речь идет о более высоком магнитном отклике), и, основное – энергонезависимое двоичное состояние, не требующее приложения электрического поля для сохранности данных.
В теории, это создает основу для создания практических устройств ME-MRAM.
Темой MRAM заняты не только в Японии, но также практически о всех странах, обладающих «продвинутой» наукой в области микроэлектроники – США, Китае, России. В разработке MRAM VCM ученые из Northwestern Engineering, США, также отказались от использования тока, добившись в 2022 году возможности переключения состояний при приложении напряжений менее 1В.
По материалам Research at Osaka University
--
За новостями телекома и IT удобно следить в телеграм-канале abloud62. Региональные новости и анонсы пресс-релизов вы найдете в канале abloudRealTime, также подключайтесь к каналу Бойко про телеком ВКонтакте
теги: микроэлектроника Япония MRAM
--
Публикации по теме:
21.02. [Краткие новости] Участники рынка микроэлектроники России / MForum.ru
07.05. [Новинки] Анонсы: Представлен концептуальный смартфон Realme GT с АКБ 10000 мАч / MForum.ru
07.05. [Новинки] Слухи: Раскрыты спецификации Samsung Galaxy Z Flip 7 / MForum.ru
07.05. [Новинки] Слухи: Появились подробности о Vivo X200 FE с экраном 6,31 дюйма / MForum.ru
07.05. [Новинки] Слухи: Moto G86 готовится к анонсу / MForum.ru
06.05. [Новинки] Анонсы: Lava выпустила доступный смартфон Yuva Star 2 / MForum.ru
06.05. [Новинки] Слухи: Moto G56 засветился на официальном рендере / MForum.ru
05.05. [Новинки] Анонсы: Представлен Realme C75 5G с Dimensity 6300 и привлекательной ценой / MForum.ru
05.05. [Новинки] Слухи: Появились рендер и характеристики Honor 400 / MForum.ru
29.04. [Новинки] Анонсы: Представлена Nubia Z70S Ultra с крупным сенсором 1/1,3'' / MForum.ru
28.04. [Новинки] Анонсы: Представлен Realme 14T с Dimensity 6300 и аккумулятором емкостью 6000 мАч / MForum.ru
25.04. [Новинки] Анонсы: OnePlus 13T дебютирует с 6,3-дюймовым OLED-дисплеем, Snapdragon Elite и АКБ 6260 мАч / MForum.ru
24.04. [Новинки] Анонсы: Honor Band 10 представлен официально / MForum.ru
24.04. [Новинки] Анонсы: Планшет Honor Pad GT представлен официально / MForum.ru
24.04. [Новинки] Анонсы: Представлен Honor GT Pro с разогнанным Snapdragon 8 Elite и АКБ 7200 мАч / MForum.ru
23.04. [Новинки] Анонсы: Представлен Huawei Enjoy 80 с большой батареей и приятной ценой / MForum.ru
23.04. [Новинки] Анонсы: Oppo K12s представлен в Китае / MForum.ru
22.04. [Новинки] Анонсы: Honor X60 GT представлен официально / MForum.ru
22.04. [Новинки] Анонсы: Представлен Oppo K13 с экраном AMOLED 120 Гц и АКБ 7000 мАч / MForum.ru
21.04. [Новинки] Слухи: OnePlus 13T оснастят АКБ 6260 мАч и обходной зарядкой / MForum.ru
18.04. [Новинки] Анонсы: Honor X60 GT представят 22 апреля / MForum.ru