Возможно слишком громкий заголовок, но разработка действительно интересная - ферроэлектрический транзистор FeHEMT, в котором к обычному HEMT-транзистору "добавлено ферроэлектричество".

Это позволяет на базе HEMT транзистора с введенным в него сегнетоэлектриком получать более резкое переключение, что дает выигрыш в энергопотреблении и обеспечивает более высокий коэффициент усиления.

Сегнетоэлектрический полупроводник создается на основе нитрида алюминия с добавлением скандия. Такой полупроводник может быть интегрирован с нитридом галлия - материалом, которому прочат немалые перспективы.

Источники: sciencedaily.com | overclockers.ru (иллюстрации)

--

За новостями микроэлектроники удобно следить в телеграм-канале RUSmicro, также подключайтесь к каналу Чипы и чиплеты ВКонтакте

теги: микроэлектроника

--