Микроэлектроника: В ОЛНТМ экспериментируют с GaN

MForum.ru

Микроэлектроника: В ОЛНТМ экспериментируют с GaN

19.07.2022, MForum.ru


В Беларуси на базе Интеграла действует отраслевая лаборатория новых технологий и материалов (ОЛНТМ). Ведущий инженер ОЛНТМ Андрей Юник рассказал о разработках в области GaN.

Основное достоинство этого материала - широкая запрещенная зона, более широкая, чем у кремния. Высокая концентрация и подвижность носителей заряда в гетероструктурах на базе GaN обеспечивает низкое сопротивление канала в открытом состоянии транзистора. Кроме того, соответствующие устройства могут работать при более высокой температуре и радиации. У таких структур на 20-30% выше теплопроводность, чем у кремния, что позволяет делать более мощные компоненты и приборы, либо обходиться без сложных систем охлаждения.

В мире материал для создания полупроводниковых приборов используется сравнительно активно, хотя и не так массово, как кремний. Тем не менее, в ряде сегментов, доля устройств на базе GaN близка к 50%. Например, на рынке зарядных устройств доля устройств на базе GaN превысит 50% к 2025 году. Активно применяются GaN-транзисторы в компактных импульсных источниках питания, DC-DC и AX-DC преобразователях, в умных сетях электропитания, электроприводах и в современных драйверах электромоторов силовых установок.

В России эксперименты были - этим занимался Жорес Иванович Алферов, но широкого применения полупроводниковые гетероструктуры так пока и не получили, по крайней мере, в гражданской сфере.

В ОЛНТМ с GaN-технологией экспериментируют уже несколько лет, в частности, разработали технологию постэпитаксиального формирования устройств на базе GaN.

Выполнен ряд НИР, что позволило разработать элементы технологии и физико-технологические основы формирования транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе гетероструктур GaN/AlGaN для силовой электроники. Также отработаны процессы формирования меза-изоляции и контактно-барьерных структур, установлены особенности химической обработки и очистки поверхностей подложек, фотолитографии и плазмохимического травления гетероструктур и так далее.

В ближайших планах — изготовление образцов силовых транзисторов на основе GaN. \\

👉 Участники российского рынка GaN

--

За новостями микроэлектроники удобно следить в телеграм-канале RUSmicro, также подключайтесь к Сообществу RUSmicro в VK

теги: микроэлектроника GaN

© Алексей Бойко, MForum.ru


Публикации по теме:

06.08. [Новости компаний] Микроэлектроника: ЗНТЦ готовится к запуску производства кристаллов GaN транзисторов / MForum.ru

21.07. [Новости компаний] Микроэлектроника: Американские производители чипов продолжают доминировать в инвестициях в разработку технологий микроэлектроники / MForum.ru

20.07. [Новости компаний] Микроэлектроника: АО ЗНТЦ будет выпускать GaN-транзисторы / MForum.ru

15.03. [Новости компаний] Микроэлектроника: Япония хотела бы стать мировым лидером рынка силовых полупроводников / MForum.ru

20.02. [Новости компаний] Микроэлектроника: Переход на GaN обещает сокращение энергопотребления серверов и ЦОД / MForum.ru

Обсуждение (открыть в отдельном окне)

В форуме нет сообщений.

Новое сообщение:
Complete in 5 ms, lookup=0 ms, find=5 ms

Последние сообщения в форумах

Ничего не найдено.

Все форумы »



Поиск по сайту:

Подписка:

Подписаться
Отписаться


Новости

04.04. [Новинки] Анонсы: Honor Play 60 и Play 60m представлены официально / MForum.ru

04.04. [Новинки] Слухи: Раскрыт дизайн Motorola Razr 60 и Razr 60 Ultra / MForum.ru

03.04. [Новинки] Слухи: Samsung работает над более доступным складным смартфоном / MForum.ru

03.04. [Новинки] Слухи: Honor работает над смартфоном с АКБ емкостью 8000 мАч / MForum.ru

02.04. [Новинки] Анонсы: Motorola Edge 60 Fusion представлен с изогнутым дисплеем и рейтингом IP69 / MForum.ru

02.04. [Новинки] Анонсы: Lava Bold 5G за 11 рупий представлен официально / MForum.ru

01.04. [Новинки] Анонсы: Vivo V50e получил мощную фоточасть и выдержал 42 000 падений / MForum.ru

01.04. [Новинки] Анонсы: Представлены Vivo Y300 Pro+ и Y300t с емкими АКБ / MForum.ru

01.04. [Новинки] Анонсы: Poco F7 Pro на базе Snapdragon 8 Gen 3 представлен официально / MForum.ru

31.03. [Новинки] Анонсы: Poco F7 Ultra – первый смартфон бренда на флагманском чипсете / MForum.ru

28.03. [Новинки] Анонсы: Представлен Infinix Note 50x с прочным корпусом и большой батареей / MForum.ru

27.03. [Новинки] Слухи: iQOO Z10 будет поддерживать быструю зарядку 90 Вт / MForum.ru

26.03. [Новинки] Слухи: Oppo Pad 4 Pro появился на тизерах / MForum.ru

26.03. [Новинки] Анонсы: Lava Shark дебютирует с дисплеем 120 Гц и аккумулятором 5000 мАч / MForum.ru

25.03. [Новинки] Слухи: OnePlus 13T получит «невероятную» ёмкость АКБ / MForum.ru

24.03. [Новинки] Анонсы: Представлены Oppo F29 и F29 Pro с прочными корпусами и емкими батареями / MForum.ru

24.03. [Новинки] Анонсы: Samsung Galaxy A26 5G представлен официально / MForum.ru

21.03. [Новинки] Анонсы: Google представила Pixel 9a с чипсетом Tensor G4 / MForum.ru

21.03. [Новинки] Анонсы: Vivo Y19e – смартфон с экраном 90 Гц и емким АКБ за 8000 рупий / MForum.ru

21.03. [Новинки] Анонсы: Vivo V50 Lite 5G с Dimensity 6300, АКБ 6500 мАч и зарядкой 90 Вт представлен официально / MForum.ru