MForum.ru
27.11.2019,
Samsung обещает начать продажи 128-слойных чипов V-NAND и модулей SSD на их базе в 2020 году
В Samsung планируют в 2020 году начать продажу SSD TLC на базе чипов V-nand 512Гб с плотностью хранения данных 3бит/ячейку, выполненных по 128-слойной технологии. Разработчики компании тем временем работают над созданием памяти с использованием 500 и более слоев. (Выход этих чипов ожидался еще до конца 2019 года.)
Модули на 256/512 смогут обеспечит скорость ввода-вывода до 1200 Мбит/c.
SSD, предназначенные для использования в облачных решениях, будут включать PM1733 SSD с интерфейсами PCI Express Gen4 (PCIe Gen4), поддерживающими последовательное чтение на скорости до 6400 МБ/с и запись на скорости до 3800 МБ/с. Компания уже показала модель емкостью 30,72ТБ, снабженную двумя контроллерами для повышения надежности.
Кроме того, готовится серия PM1735, которая будет доступна в форм-факторах U.2 и HHHL. PM1735 U.2 обеспечит скорости 6400/3800 МБ/c при последовательном считывании/записи при емкости в 25.6 ТБ. Его родной брат HHHL будет выпускаться с емкостью 12,8 ТБ и поддерживать скорости чтения до 8000 МБ/с.
Samsung рекомендует использовать решения Z-SSD там, где предъявляются жесткие требования к уровню задержек. В результате оптимизации компания добилась уровня задержки менее 100 мкс в системе хранения данных, что примерно в 5.5 раз меньше, чем при использовании SSD TLC и 4КБ со случайным обращением и в 100 раз меньшую, чем при использовании смешанного чтения со случайным доступом.
В Samsung также продолжат работать над SAS SSD, которые будут поддерживать возможность горячей замены, а также повышенную надежность за счет использования двухпортовой схемы. В частности, PM1653 (SAS4) 24ГБ SSD, которая поддерживает до 4000 МБ/c / 3800 МБ/с при последовательном чтении и записи, соответственно.
Перспективные разработки SSD включают тренд на создание SmartSSD, способных частично разгрузить ЦП. Эти NVM SSD снабжены ПЛИС-акселератором. Для более быстрого и простого подключения к облаку Samsung работает с EthernetSSD, который обладает таким преимуществом, как NVM over Fabric.
Для сегмента B2C-памяти, в Samsung разработали UFC 3.x память, предназначенную для использования в смартфонах. Этот подвид флэш-памяти обещает стабильные высокие скорости (500 МБ/с при последовательной записи), отличающуюся отсутствием деградации производительности при записи. Также эта технология обеспечивает защиту от потери данных за счет технологии восстановления ошибок и функциональностям автоматической повторной передачи.
Продукты уже доступны на рынке Южной Кореи, а в США они появятся в 2020 году и будут совместимы со слотами UFS, которые можно встретить в ноутбуках компании Samsung.
Samsung также работает над разработкой компактных решений NVM SSD. Размером примерно с монету (M.2 22x30) они обладают емкостью до 1ТБ и весят около 1 грамма.
Источник: cdrinfo.com
Можно вспомнить, что в августе в Samsung приступили к массовому производству твердотельных накопителей SATA емкостью 250 ГБ на базе модулей V-NAND емкостью 256 гбит, выполненных на базе трехбитных ячеек.
----
За новостями телекома и IT удобно следить в телеграм-канале abloud62. телеграм-трансляции и анонсы пресс-релизов вы найдете в канале abloudRealTime , также подписывайтесь на Facebook-страницу Алексея Бойко.
теги: микроэлектроника Samsung флэш-память V-NAND SSD разработки
Публикации по теме:
08.12. [Новинки] Анонсы: Tecno представляет Phantom X2 на чиспете Dimensity 9000 и X2 Pro с выдвижным портретным объективом / MForum.ru
02.12. [Новости компаний] Микроэлектроника: YMTC представила чипы 3D NAND с более чем 200 слоями / MForum.ru
28.10. [Новинки] Анонсы: Официально представлены Redmi Note 12 Pro и 12 Pro+ / MForum.ru
21.09. [Новинки] Слухи: Vivo X90 Pro+ c 1" сенсором камеры представят в декабре / MForum.ru
20.07. [Новости компаний] Микроэлектроника: По оценкам TrendForce, в 3Q2022 цены на NAND-память снизятся на 8-13% / MForum.ru
23.12. [Новинки] Анонсы: Представлен Ulefone Armor X31 Pro с экраном 120 Гц, камерой ночного видения и аккумулятором емкостью 6050 мА•ч / MForum.ru
23.12. [Новинки] Анонсы: Представлен Honor GT со Snapdragon 8 Gen 3, IMX906 и зарядкой мощностью 100 Вт / MForum.ru
23.12. [Новинки] Анонсы: Honor Pad V9 с 11,5 дюймовым дисплеем представлен официально / MForum.ru
20.12. [Новинки] Слухи: HMD Global работает над смартфоном под кодовым названием «Orka» / MForum.ru
20.12. [Новинки] Слухи: Раскрыты ключевые характеристики Vivo Pad 4 Pro / MForum.ru
19.12. [Новинки] Анонсы: Poco C75 5G доступный 5G-смартфон на Snapdragon 4s Gen 2 / MForum.ru
19.12. [Новинки] Анонсы: Poco M7 Pro 5G — 5G-смартфон за 15 000 рупий / MForum.ru
18.12. [Новинки] Анонсы: Moto G05 с чипсетом Helio G81 представлен официально / MForum.ru
18.12. [Новинки] Анонсы: Motorola представила смартфоны с емкими АКБ – Moto G15 и G15 Power / MForum.ru
18.12. [Новинки] Анонсы: Представлен Motorola Moto E15 с Android 14 Go / MForum.ru
17.12. [Новинки] Анонсы: Классические телефоны Nokia получают обновление 2025 года / MForum.ru
16.12. [Новинки] Слухи: Poco X7 и X7 Pro замечены на рендерах / MForum.ru
16.12. [Новинки] Анонсы: Lava O3 Pro появился на Amazon India / MForum.ru
13.12. [Новинки] Анонсы: Huawei FreeBuds Pro 4 стали первым устройством бренда Huawei Sound / MForum.ru
13.12. [Новинки] Анонсы: Серия Huawei Nova 13 выходит на мировой рынок / MForum.ru
13.12. [Новинки] Слухи: Раскрыты подробности о китайской версии Vivo Y300 5G / MForum.ru
12.12. [Новинки] Слухи: Раскрыты полные спецификации Google Pixel 9a / MForum.ru
12.12. [Новинки] Это интересно: Vivo создаст новый суббренд в следующем году / MForum.ru
11.12. [Новинки] Анонсы: Представлен Realme Neo7 с Dimensity 9300+, АКБ 7000 мАч и защитой от воды и пыли IP69 / MForum.ru
11.12. [Новинки] Слухи: Раскрыты спецификации OnePlus Ace 5 и его отличия от OnePlus 13R / MForum.ru