Микроэлектроника: Воздушный зазор вместо традиционного полупроводника?

MForum.ru

Микроэлектроника: Воздушный зазор вместо традиционного полупроводника?

20.11.2018, MForum.ru


Исследователи из Мельбурнского королевского технологического института (RMIT), Австралия, убедились что можно использовать для управления пропуском тока не только кремний, как в традиционных полупроводниках, но и тонкие воздушные каналы.

По заявлению ученых, построенные на этом принципе транзисторы будут более быстродействующими, менее склонными к нагреву и не полупроводниковыми.

“Сейчас каждый компьютер и телефон построен на основе миллионов или даже миллиардов электронных транзисторов, выполненных из кремния, но эта технология подошла вплотную к ряду физических ограничений, поскольку атомы силикона, оказываясь под действием электротока, ограничивают скорость движения электронов и нагреваются”, - комментирует автор изобретения, Shruti Nirantar.

“Наша технология транзисторов с воздушным каналом подразумевает, что ток течет через узкий воздушный зазор, в котором практически нет помех, которые бы препятствовали этому процессу, нет материала, который сопротивляясь, нагревался бы”.

Nirantar добавляет, что результаты исследования могут использоваться для создания новой “наноэлектроники”, свободной от ряда ограничений, свойственных традиционным транзисторам на базе кремния.

“Эта технология - другой способ добиться микроминиатюризации транзисторов в попытке продлить действие закона Мура еще на несколько десятилетий”, - заявляет Nirantar.

В статье ученые пишут, что ведут эксперименты с воздушными зазорами менее 35 нм, и что в столь небольших каналах достигается эффект, сравнимый с течением тока в вакууме причем при комнатных температурах.

Воздушный зазор вместо традиционного полупроводника?

источник изображения

“Размер зазора составляет всего несколько десятков нанометров, что в 50 тысяч раз меньше, чем толщина волоса человека. Этого достаточно, чтобы электроны двигались, как если бы они находились в вакууме”, - рассказывает руководитель проекта профессор Sharath Sriram.

“Это шаг вперед относительно существующей технологии, который позволит существенно нарастить быстродействие электроники и сохранить высокие темпы технологического прогресса”.

Источник: zdnet.com

В ближайшие годы вряд ли стоит ожидать повсеместного отказа от традиционных транзисторов в пользу такой вот "воздушно-зазорной" технологии. Особенно с учетом уже сделанных в развитие современной кремниевой микроэлектроники вложений в сотни миллиардов долларов. Тем не менее каждое очередное изобретение альтернативы показывает, что встающие перед технологами и в целом перед отраслью микроэлектроники задачи, находят самые необычные решения, некоторые из которых могут оказаться настолько привлекательыми, что повлекут за собой существенные изменения традиционных подходов к созданию микроэлектронных изделий и техники на их основе.

+

Список основных участников российского рынка производства полупроводников есть на MForum.ru

За новостями микроэлектроники и полупроводников удобно следить в телеграм-канале RUSmicro

теги: микроэлектроника полупроводники  

+ +

© Алексей Бойко, MForum.ru


Публикации по теме:

09.06. [Новости компаний] Базовые станции: Иртея будет получать микросхемы Микрон в рамках форвардного контракта / MForum.ru

26.03. [Новости компаний] Микроэлектроника: GS Group будет корпусировать микросхемы для электронных модулей и блоков, применяемых в автопроме / MForum.ru

20.02. [Новости компаний] Микроэлектроника: Микрон расскажет об импортзамещении материалов / MForum.ru

10.02. [Новости компаний] Микроэлектроника: Микрон представил на Ozon новую отладочную плату / MForum.ru

26.01. [Новости компаний] Микроэлектроника: Разработанные в Силовом ключе карбид кремниевые транзисторы задействовали в силовом модуле / MForum.ru

Обсуждение (открыть в отдельном окне)

В форуме нет сообщений.

Новое сообщение:
Complete in 2 ms, lookup=0 ms, find=2 ms

Последние сообщения в форумах

Ничего не найдено.

Все форумы »



Поиск по сайту:

Подписка:

Подписаться
Отписаться


Новости

27.06. [Новинки] Анонсы: Xiaomi Pad 7S Pro 12.5 на чипсете Xring O1 представлен официально / MForum.ru

26.06. [Новинки] Анонсы: Redmi K80 Ultra представлен официально / MForum.ru

26.06. [Новинки] Анонсы: Экологичный смартфон Fairphone 6 представлен официально / MForum.ru

25.06. [Новинки] Анонсы: Poco F7 на чипсете Snapdragon 8s Gen 4 представлен официально / MForum.ru

24.06. [Новинки] Анонсы: Galaxy Unpacked 2025 состоится 9 июля / MForum.ru

24.06. [Новинки] Анонсы: Компактный смартфон Vivo X200 FE представлен официально / MForum.ru

23.06. [Новинки] Анонсы: Oppo K13x 5G представлен как «самый надежный смартфон в сегменте» / MForum.ru

23.06. [Новинки] Слухи: Толщина Honor Magic V5 составит 8,8 мм / MForum.ru

20.06. [Новинки] Слухи: Раскрыты подробности о Redmi K80 Ultra / MForum.ru

20.06. [Новинки] Слухи: Honor Magic V5 может стать самым тонким складным смартфоном в мире / MForum.ru

19.06. [Новинки] Анонсы: Глобальная версия Oppo Reno 14 5G представлена в Японии / MForum.ru

19.06. [Новинки] Анонсы: Oppo Reno 13A для японского рынка представлен официально / MForum.ru

19.06. [Новинки] Анонсы: Бюджетный смартфон iQOO Z10 Lite официально представлен в Индии / MForum.ru

18.06. [Новинки] Анонсы: Fujitsu Arrows F-51F представлен официально / MForum.ru

17.06. [Новинки] Слухи: Раскрыты основные подробности о Redmi K Pad / MForum.ru

17.06. [Новинки] Анонсы: Trump Mobile T1 представлен официально / MForum.ru

17.06. [Новинки] Анонсы: Анонсирован Realme Narzo 80 Lite 5G с Dimensity 6300 и аккумулятором 6000 мАч / MForum.ru

17.06. [Новинки] Анонсы: Infinix представил смартфоны серии Smart 10 / MForum.ru

16.06. [Новинки] Слухи: Планшет OnePlus Pad Lite будет базироваться на Helio G100 SoC / MForum.ru

13.06. [Новинки] Слухи: Предсказана производительность бенчмарков Qualcomm Snapdragon 8 Elite 2 / MForum.ru