MForum.ru
11.09.2018,
Основные участники мирового рынка силовых дискретных полупроводников -- Микроэлектроника
Новости
2021.12.07 [Силовая электроника. Практикум]. В мощных преобразователях электрической энергии наряду с диодами и тиристорами широко применяются силовые IGBT- и MOSFET-транзисторы. В некоторых преобразователях в процессе работы транзисторы подвергаются различным по уровню и продолжительности перегрузкам по току и напряжению.
Специфические особенности приборов необходимо учитывать при проектировании преобразователей, прежде всего в процессе выбора транзисторов по предельным электрическим параметрам. Одним из таких параметров является предельное значение блокирующего напряжения Uблпр. Этот показатель варьируется в партии одинаковых приборов, что требует замеров и отбраковки части приборов по итогам измерений.
В статье по ссылке приводятся рекомендации - как проводить измерения этого параметра, и что следует учитывать в ходе измерений.
+
Подписывайтесь на Telegram-канал, посвященный микроэлектронике
+ +
© Алексей Бойко,
Публикации по теме:
25.04. [Новости компаний] Микроэлектроника: Загрузка фабрик по производству чипов останется высокой / MForum.ru
21.02. [Краткие новости] Микроэлектроника / MForum.ru
Силовая электроника
Полезное чтение. В книге "Основы силовой электроники" (Белоус А, Ефименко С., Солодуха В. и др) представлена информация о принципах работы, основных технических характеристиках и технологиях изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, применяемых в силовой электронике.
Рассмотрена элементная база для вторичных источников питания, управления электродвигателями и осветительным оборудованием, для автомобильной электроники, управления MOSFET и IGBT.
Отдельные главы посвящены приборам на основе широкозонных полупроводников – нитрида галлия, карбида кремния и арсенида галлия. Рассмотрены вопросы высокотемпературной обработки в технологии приборов для силовой электроники, особенности корпусирования мощных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.
[Силовая электроника. Практикум]
В мощных преобразователях электрической энергии наряду с диодами и тиристорами широко применяются силовые IGBT- и MOSFET-транзисторы.
В некоторых преобразователях в процессе работы транзисторы подвергаются различным по уровню и продолжительности перегрузкам по току и напряжению.
Специфические особенности приборов необходимо учитывать при проектировании преобразователей, прежде всего в процессе выбора транзисторов по предельным электрическим параметрам. Одним из таких параметров является предельное значение блокирующего напряжения Uблпр. Этот показатель варьируется в партии одинаковых приборов, что требует замеров и отбраковки части приборов по итогам измерений.
В
17.06. [Новинки] Слухи: Раскрыты основные подробности о Redmi K Pad / MForum.ru
17.06. [Новинки] Анонсы: Trump Mobile T1 представлен официально / MForum.ru
17.06. [Новинки] Анонсы: Анонсирован Realme Narzo 80 Lite 5G с Dimensity 6300 и аккумулятором 6000 мАч / MForum.ru
17.06. [Новинки] Анонсы: Infinix представил смартфоны серии Smart 10 / MForum.ru
16.06. [Новинки] Слухи: Планшет OnePlus Pad Lite будет базироваться на Helio G100 SoC / MForum.ru
13.06. [Новинки] Слухи: Предсказана производительность бенчмарков Qualcomm Snapdragon 8 Elite 2 / MForum.ru
13.06. [Новинки] Слухи: Раскрыты подробности о Redmi K Pad / MForum.ru
13.06. [Новинки] Слухи: Vivo T4 Lite готовится к анонсу / MForum.ru
11.06. [Новинки] Слухи: OnePlus Nord 5 и Nord CE5 могут представить 8 июля / MForum.ru
11.06. [Новинки] Слухи: Появились фото Nothing Phone (3) / MForum.ru
11.06. [Новинки] Анонсы: Honor X6c дебютирует с дисплеем 120 Гц и Helio G81 Ultra / MForum.ru
10.06. [ПО] Анонсы: iOS 26 анонсирована с новым дизайном Liquid Glass, обновленным приложением Visual Intelligence и Games / MForum.ru
10.06. [Новинки] Слухи: Раскрыт дизайн и некоторые спецификации Vivo Y400 Pro / MForum.ru
09.06. [Новинки] Анонсы: Представлен бюджетный 5G-смартфон Vivo Y300c / MForum.ru
09.06. [Новинки] Слухи: Samsung Unpacked 2025 состоится в середине июля / MForum.ru
06.06. [Новинки] Анонсы: OnePlus Pad 3 со Snapdragon 8 Elite представлен официально / MForum.ru
06.06. [Новинки] Анонсы: Представлен Redmi Pad 2 с экраном 90 Гц и аккумулятором 9000 мАч / MForum.ru
05.06. [Новинки] Слухи: Раскрыты основные спецификации Honor MagicPad 3 / MForum.ru
05.06. [Новинки] Анонсы: OnePlus 13s – компактный смартфон на базе Snapdragon 8 Elite / MForum.ru
04.06. [Новинки] Анонсы: 5G-смартфон ZTE Blade A76 представлен официально / MForum.ru