Силовая электроника

MForum.ru

Силовая электроника

11.09.2018, MForum.ru


 

 

Основные участники мирового рынка силовых дискретных полупроводников  --  Микроэлектроника 

2018

  • ON Semiconductor
  • Mitsubishi Electric Corp
  • Toshiba
  • STMicroelectronics
  • Vishay Intertechnology
  • Renesas Electronics
  • ROHM Semiconductor
  • Nexperia
  • Microsemi
  • IXYS Corporation
  • Semikron Inc

 

Новости

2021.12.07 [Силовая электроника. Практикум]. В мощных преобразователях электрической энергии наряду с диодами и тиристорами широко применяются силовые IGBT- и MOSFET-транзисторы. В некоторых преобразователях в процессе работы транзисторы подвергаются различным по уровню и продолжительности перегрузкам по току и напряжению.
Специфические особенности приборов необходимо учитывать при проектировании преобразователей, прежде всего в процессе выбора транзисторов по предельным электрическим параметрам. Одним из таких параметров является предельное значение блокирующего напряжения Uблпр. Этот показатель варьируется в партии одинаковых приборов, что требует замеров и отбраковки части приборов по итогам измерений.
В статье по ссылке приводятся рекомендации - как проводить измерения этого параметра, и что следует учитывать в ходе измерений.

2020.02.22 TSMC подписала договор с STMicroelectronics на производство силовой электроники на основе нитрида галлия (GaN)

 

+

Подписывайтесь на Telegram-канал, посвященный микроэлектронике

+ +

© Алексей Бойко, MForum.ru


Публикации по теме:

25.04. [Новости компаний] Микроэлектроника: Загрузка фабрик по производству чипов останется высокой / MForum.ru

21.02. [Краткие новости]  Микроэлектроника / MForum.ru

Обсуждение (открыть в отдельном окне)

18.11.2019 23:38 От: ABloud

Силовая электроника

Полезное чтение. В книге "Основы силовой электроники" (Белоус А, Ефименко С., Солодуха В. и др) представлена информация о принципах работы, основных технических характеристиках и технологиях изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, применяемых в силовой электронике.

Рассмотрена элементная база для вторичных источников питания, управления электродвигателями и осветительным оборудованием, для автомобильной электроники, управления MOSFET и IGBT.

Отдельные главы посвящены приборам на основе широкозонных полупроводников – нитрида галлия, карбида кремния и арсенида галлия. Рассмотрены вопросы высокотемпературной обработки в технологии приборов для силовой электроники, особенности корпусирования мощных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.

technosphera.ru - можно читать бесплатно, или chitai-gorod.ru - заказать.

07.12.2021 13:39 От: ABloud

[Силовая электроника. Практикум]

В мощных преобразователях электрической энергии наряду с диодами и тиристорами широко применяются силовые IGBT- и MOSFET-транзисторы.

В некоторых преобразователях в процессе работы транзисторы подвергаются различным по уровню и продолжительности перегрузкам по току и напряжению.

Специфические особенности приборов необходимо учитывать при проектировании преобразователей, прежде всего в процессе выбора транзисторов по предельным электрическим параметрам. Одним из таких параметров является предельное значение блокирующего напряжения Uблпр. Этот показатель варьируется в партии одинаковых приборов, что требует замеров и отбраковки части приборов по итогам измерений.

В статье по ссылке приводятся рекомендации - как проводить измерения этого параметра, и что следует учитывать в ходе измерений.


Новое сообщение:
Complete in 7 ms, lookup=0 ms, find=7 ms

Последние сообщения в форумах

Ничего не найдено.

Все форумы »



Поиск по сайту:

Подписка:

Подписаться
Отписаться


Новости

05.05. [Новинки] Анонсы: Представлен Realme C75 5G с Dimensity 6300 и привлекательной ценой / MForum.ru

05.05. [Новинки] Слухи: Появились рендер и характеристики Honor 400 / MForum.ru

29.04. [Новинки] Анонсы: Представлена Nubia Z70S Ultra с крупным сенсором 1/1,3'' / MForum.ru

28.04. [Новинки] Анонсы: Представлен Realme 14T с Dimensity 6300 и аккумулятором емкостью 6000 мАч / MForum.ru

25.04. [Новинки] Анонсы: OnePlus 13T дебютирует с 6,3-дюймовым OLED-дисплеем, Snapdragon Elite и АКБ 6260 мАч / MForum.ru

24.04. [Новинки] Анонсы: Honor Band 10 представлен официально / MForum.ru

24.04. [Новинки] Анонсы: Планшет Honor Pad GT представлен официально / MForum.ru

24.04. [Новинки] Анонсы: Представлен Honor GT Pro с разогнанным Snapdragon 8 Elite и АКБ 7200 мАч / MForum.ru

23.04. [Новинки] Анонсы: Представлен Huawei Enjoy 80 с большой батареей и приятной ценой / MForum.ru

23.04. [Новинки] Анонсы: Oppo K12s представлен в Китае / MForum.ru

22.04. [Новинки] Анонсы: Honor X60 GT представлен официально / MForum.ru

22.04. [Новинки] Анонсы: Представлен Oppo K13 с экраном AMOLED 120 Гц и АКБ 7000 мАч / MForum.ru

21.04. [Новинки] Слухи: OnePlus 13T оснастят АКБ 6260 мАч и обходной зарядкой / MForum.ru

18.04. [Новинки] Анонсы: Honor X60 GT представят 22 апреля / MForum.ru

18.04. [Новинки] Анонсы: Samsung Galaxy M56 представлен официально / MForum.ru

17.04. [Новинки] Слухи: Realme GT 8 Pro на базе Snapdragon 8 Elite 2 представят в октябре/ноябре / MForum.ru

17.04. [Новинки] Слухи: OnePlus 13s может появиться в Индии в июне / MForum.ru

16.04. [Новинки] Анонсы: Redmi A5 – новое поколение сверхбюджетных смартфонов / MForum.ru

16.04. [Новинки] Анонсы: Представлен Motorola Edge 60 Stylus с встроенным стилусом и рейтингом IP68 / MForum.ru

15.04. [Новинки] Cлухи: Oppo K13 получит новый чип Qualcomm и емкую АКБ / MForum.ru