Силовая электроника

MForum.ru

Силовая электроника

11.09.2018, MForum.ru


 

 

Основные участники мирового рынка силовых дискретных полупроводников  --  Микроэлектроника 

2018

  • ON Semiconductor
  • Mitsubishi Electric Corp
  • Toshiba
  • STMicroelectronics
  • Vishay Intertechnology
  • Renesas Electronics
  • ROHM Semiconductor
  • Nexperia
  • Microsemi
  • IXYS Corporation
  • Semikron Inc

 

Новости

2021.12.07 [Силовая электроника. Практикум]. В мощных преобразователях электрической энергии наряду с диодами и тиристорами широко применяются силовые IGBT- и MOSFET-транзисторы. В некоторых преобразователях в процессе работы транзисторы подвергаются различным по уровню и продолжительности перегрузкам по току и напряжению.
Специфические особенности приборов необходимо учитывать при проектировании преобразователей, прежде всего в процессе выбора транзисторов по предельным электрическим параметрам. Одним из таких параметров является предельное значение блокирующего напряжения Uблпр. Этот показатель варьируется в партии одинаковых приборов, что требует замеров и отбраковки части приборов по итогам измерений.
В статье по ссылке приводятся рекомендации - как проводить измерения этого параметра, и что следует учитывать в ходе измерений.

2020.02.22 TSMC подписала договор с STMicroelectronics на производство силовой электроники на основе нитрида галлия (GaN)

 

+

Подписывайтесь на Telegram-канал, посвященный микроэлектронике

+ +

© Алексей Бойко, MForum.ru


Публикации по теме:

25.04. [Новости компаний] Микроэлектроника: Загрузка фабрик по производству чипов останется высокой / MForum.ru

21.02. [Краткие новости]  Микроэлектроника / MForum.ru

Обсуждение (открыть в отдельном окне)

18.11.2019 23:38 От: ABloud

Силовая электроника

Полезное чтение. В книге "Основы силовой электроники" (Белоус А, Ефименко С., Солодуха В. и др) представлена информация о принципах работы, основных технических характеристиках и технологиях изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, применяемых в силовой электронике.

Рассмотрена элементная база для вторичных источников питания, управления электродвигателями и осветительным оборудованием, для автомобильной электроники, управления MOSFET и IGBT.

Отдельные главы посвящены приборам на основе широкозонных полупроводников – нитрида галлия, карбида кремния и арсенида галлия. Рассмотрены вопросы высокотемпературной обработки в технологии приборов для силовой электроники, особенности корпусирования мощных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.

technosphera.ru - можно читать бесплатно, или chitai-gorod.ru - заказать.

07.12.2021 13:39 От: ABloud

[Силовая электроника. Практикум]

В мощных преобразователях электрической энергии наряду с диодами и тиристорами широко применяются силовые IGBT- и MOSFET-транзисторы.

В некоторых преобразователях в процессе работы транзисторы подвергаются различным по уровню и продолжительности перегрузкам по току и напряжению.

Специфические особенности приборов необходимо учитывать при проектировании преобразователей, прежде всего в процессе выбора транзисторов по предельным электрическим параметрам. Одним из таких параметров является предельное значение блокирующего напряжения Uблпр. Этот показатель варьируется в партии одинаковых приборов, что требует замеров и отбраковки части приборов по итогам измерений.

В статье по ссылке приводятся рекомендации - как проводить измерения этого параметра, и что следует учитывать в ходе измерений.


Новое сообщение:
Complete in 10 ms, lookup=0 ms, find=10 ms

Последние сообщения в форумах

Ничего не найдено.

Все форумы »



Поиск по сайту:

Подписка:

Подписаться
Отписаться


Новости

17.06. [Новинки] Слухи: Раскрыты основные подробности о Redmi K Pad / MForum.ru

17.06. [Новинки] Анонсы: Trump Mobile T1 представлен официально / MForum.ru

17.06. [Новинки] Анонсы: Анонсирован Realme Narzo 80 Lite 5G с Dimensity 6300 и аккумулятором 6000 мАч / MForum.ru

17.06. [Новинки] Анонсы: Infinix представил смартфоны серии Smart 10 / MForum.ru

16.06. [Новинки] Слухи: Планшет OnePlus Pad Lite будет базироваться на Helio G100 SoC / MForum.ru

13.06. [Новинки] Слухи: Предсказана производительность бенчмарков Qualcomm Snapdragon 8 Elite 2 / MForum.ru

13.06. [Новинки] Слухи: Раскрыты подробности о Redmi K Pad / MForum.ru

13.06. [Новинки] Слухи: Vivo T4 Lite готовится к анонсу / MForum.ru

11.06. [Новинки] Слухи: OnePlus Nord 5 и Nord CE5 могут представить 8 июля / MForum.ru

11.06. [Новинки] Слухи: Появились фото Nothing Phone (3) / MForum.ru

11.06. [Новинки] Анонсы: Honor X6c дебютирует с дисплеем 120 Гц и Helio G81 Ultra / MForum.ru

10.06. [ПО] Анонсы: iOS 26 анонсирована с новым дизайном Liquid Glass, обновленным приложением Visual Intelligence и Games / MForum.ru

10.06. [Новинки] Слухи: Раскрыт дизайн и некоторые спецификации Vivo Y400 Pro / MForum.ru

09.06. [Новинки] Анонсы: Представлен бюджетный 5G-смартфон Vivo Y300c / MForum.ru

09.06. [Новинки] Слухи: Samsung Unpacked 2025 состоится в середине июля / MForum.ru

06.06. [Новинки] Анонсы: OnePlus Pad 3 со Snapdragon 8 Elite представлен официально / MForum.ru

06.06. [Новинки] Анонсы: Представлен Redmi Pad 2 с экраном 90 Гц и аккумулятором 9000 мАч / MForum.ru

05.06. [Новинки] Слухи: Раскрыты основные спецификации Honor MagicPad 3 / MForum.ru

05.06. [Новинки] Анонсы: OnePlus 13s – компактный смартфон на базе Snapdragon 8 Elite / MForum.ru

04.06. [Новинки] Анонсы: 5G-смартфон ZTE Blade A76 представлен официально / MForum.ru