Силовая электроника

MForum.ru

Силовая электроника

11.09.2018, MForum.ru


 

 

Основные участники мирового рынка силовых дискретных полупроводников  --  Микроэлектроника 

2018

  • ON Semiconductor
  • Mitsubishi Electric Corp
  • Toshiba
  • STMicroelectronics
  • Vishay Intertechnology
  • Renesas Electronics
  • ROHM Semiconductor
  • Nexperia
  • Microsemi
  • IXYS Corporation
  • Semikron Inc

 

Новости

2021.12.07 [Силовая электроника. Практикум]. В мощных преобразователях электрической энергии наряду с диодами и тиристорами широко применяются силовые IGBT- и MOSFET-транзисторы. В некоторых преобразователях в процессе работы транзисторы подвергаются различным по уровню и продолжительности перегрузкам по току и напряжению.
Специфические особенности приборов необходимо учитывать при проектировании преобразователей, прежде всего в процессе выбора транзисторов по предельным электрическим параметрам. Одним из таких параметров является предельное значение блокирующего напряжения Uблпр. Этот показатель варьируется в партии одинаковых приборов, что требует замеров и отбраковки части приборов по итогам измерений.
В статье по ссылке приводятся рекомендации - как проводить измерения этого параметра, и что следует учитывать в ходе измерений.

2020.02.22 TSMC подписала договор с STMicroelectronics на производство силовой электроники на основе нитрида галлия (GaN)

 

+

Подписывайтесь на Telegram-канал, посвященный микроэлектронике

+ +

© Алексей Бойко, MForum.ru


Публикации по теме:

25.04. [Новости компаний] Микроэлектроника: Загрузка фабрик по производству чипов останется высокой / MForum.ru

21.02. [Краткие новости]  Микроэлектроника / MForum.ru

Обсуждение (открыть в отдельном окне)

18.11.2019 23:38 От: ABloud

Силовая электроника

Полезное чтение. В книге "Основы силовой электроники" (Белоус А, Ефименко С., Солодуха В. и др) представлена информация о принципах работы, основных технических характеристиках и технологиях изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, применяемых в силовой электронике.

Рассмотрена элементная база для вторичных источников питания, управления электродвигателями и осветительным оборудованием, для автомобильной электроники, управления MOSFET и IGBT.

Отдельные главы посвящены приборам на основе широкозонных полупроводников – нитрида галлия, карбида кремния и арсенида галлия. Рассмотрены вопросы высокотемпературной обработки в технологии приборов для силовой электроники, особенности корпусирования мощных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.

technosphera.ru - можно читать бесплатно, или chitai-gorod.ru - заказать.

07.12.2021 13:39 От: ABloud

[Силовая электроника. Практикум]

В мощных преобразователях электрической энергии наряду с диодами и тиристорами широко применяются силовые IGBT- и MOSFET-транзисторы.

В некоторых преобразователях в процессе работы транзисторы подвергаются различным по уровню и продолжительности перегрузкам по току и напряжению.

Специфические особенности приборов необходимо учитывать при проектировании преобразователей, прежде всего в процессе выбора транзисторов по предельным электрическим параметрам. Одним из таких параметров является предельное значение блокирующего напряжения Uблпр. Этот показатель варьируется в партии одинаковых приборов, что требует замеров и отбраковки части приборов по итогам измерений.

В статье по ссылке приводятся рекомендации - как проводить измерения этого параметра, и что следует учитывать в ходе измерений.


Новое сообщение:
Complete in 20 ms, lookup=0 ms, find=20 ms

Последние сообщения в форумах

Ничего не найдено.

Все форумы »



Поиск по сайту:

Подписка:

Подписаться
Отписаться


Новости

08.07. [Новинки] Анонсы: Honor X9c 5G представлен официально / MForum.ru

08.07. [Новинки] Слухи: Honor X70 получит АКБ емкостью 8300 мАч / MForum.ru

07.07. [Новинки] Анонсы: Itel City 100 представлен официально / MForum.ru

07.07. [Новинки] Слухи: Infinix Hot 60 5G + оснастят One-Tap AI Button / MForum.ru

04.07. [Новинки] Слухи: Аксессуары для Samsung Galaxy Z Flip 7 показали на рендерах / MForum.ru

03.07. [Новинки] Анонсы: Moto G100 Pro с MediaTek Dimensity 7300 и АКБ 6720 мАч представлен официально / MForum.ru

03.07. [Новинки] Анонсы: Infinix Hot 60i с AI-функциями представлен официально / MForum.ru

03.07. [Новинки] Анонсы: Tecno представила 3 смартфона серии Spark 40 / MForurm.ru

02.07. [Новинки] Cлухи: Появились подробности о Google Pixel 10 Pro и Google Pixel 10 Pro XL / MForum.ru

02.07. [Новинки] Анонсы: Nothing Phone (3) с Glyph Matrix представлен официально / MForum.ru

01.07. [Новинки] Слухи: Moto G96 5G может быть представлен 9 июля / MForum.ru

01.07. [Новинки] Слухи: Появились данные о размере батареи Redmi Turbo 5 Pro / Poco F8 / MForum.ru

30.06. [Новинки] Анонсы: Xiaomi Watch S4 41 мм и Band 10 представлены официально / MForum.ru

27.06. [Новинки] Анонсы: Xiaomi Pad 7S Pro 12.5 на чипсете Xring O1 представлен официально / MForum.ru

26.06. [Новинки] Анонсы: Redmi K80 Ultra представлен официально / MForum.ru

26.06. [Новинки] Анонсы: Экологичный смартфон Fairphone 6 представлен официально / MForum.ru

25.06. [Новинки] Анонсы: Poco F7 на чипсете Snapdragon 8s Gen 4 представлен официально / MForum.ru

24.06. [Новинки] Анонсы: Galaxy Unpacked 2025 состоится 9 июля / MForum.ru

24.06. [Новинки] Анонсы: Компактный смартфон Vivo X200 FE представлен официально / MForum.ru

23.06. [Новинки] Анонсы: Oppo K13x 5G представлен как «самый надежный смартфон в сегменте» / MForum.ru