Силовая электроника

MForum.ru

Силовая электроника

11.09.2018, MForum.ru


 

 

Основные участники мирового рынка силовых дискретных полупроводников  --  Микроэлектроника 

2018

  • ON Semiconductor
  • Mitsubishi Electric Corp
  • Toshiba
  • STMicroelectronics
  • Vishay Intertechnology
  • Renesas Electronics
  • ROHM Semiconductor
  • Nexperia
  • Microsemi
  • IXYS Corporation
  • Semikron Inc

 

Новости

2021.12.07 [Силовая электроника. Практикум]. В мощных преобразователях электрической энергии наряду с диодами и тиристорами широко применяются силовые IGBT- и MOSFET-транзисторы. В некоторых преобразователях в процессе работы транзисторы подвергаются различным по уровню и продолжительности перегрузкам по току и напряжению.
Специфические особенности приборов необходимо учитывать при проектировании преобразователей, прежде всего в процессе выбора транзисторов по предельным электрическим параметрам. Одним из таких параметров является предельное значение блокирующего напряжения Uблпр. Этот показатель варьируется в партии одинаковых приборов, что требует замеров и отбраковки части приборов по итогам измерений.
В статье по ссылке приводятся рекомендации - как проводить измерения этого параметра, и что следует учитывать в ходе измерений.

2020.02.22 TSMC подписала договор с STMicroelectronics на производство силовой электроники на основе нитрида галлия (GaN)

 

+

Подписывайтесь на Telegram-канал, посвященный микроэлектронике

+ +

© Алексей Бойко, MForum.ru


Публикации по теме:

25.04. [Новости компаний] Микроэлектроника: Загрузка фабрик по производству чипов останется высокой / MForum.ru

21.02. [Краткие новости]  Микроэлектроника / MForum.ru

Обсуждение (открыть в отдельном окне)

18.11.2019 23:38 От: ABloud

Силовая электроника

Полезное чтение. В книге "Основы силовой электроники" (Белоус А, Ефименко С., Солодуха В. и др) представлена информация о принципах работы, основных технических характеристиках и технологиях изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, применяемых в силовой электронике.

Рассмотрена элементная база для вторичных источников питания, управления электродвигателями и осветительным оборудованием, для автомобильной электроники, управления MOSFET и IGBT.

Отдельные главы посвящены приборам на основе широкозонных полупроводников – нитрида галлия, карбида кремния и арсенида галлия. Рассмотрены вопросы высокотемпературной обработки в технологии приборов для силовой электроники, особенности корпусирования мощных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.

technosphera.ru - можно читать бесплатно, или chitai-gorod.ru - заказать.

07.12.2021 13:39 От: ABloud

[Силовая электроника. Практикум]

В мощных преобразователях электрической энергии наряду с диодами и тиристорами широко применяются силовые IGBT- и MOSFET-транзисторы.

В некоторых преобразователях в процессе работы транзисторы подвергаются различным по уровню и продолжительности перегрузкам по току и напряжению.

Специфические особенности приборов необходимо учитывать при проектировании преобразователей, прежде всего в процессе выбора транзисторов по предельным электрическим параметрам. Одним из таких параметров является предельное значение блокирующего напряжения Uблпр. Этот показатель варьируется в партии одинаковых приборов, что требует замеров и отбраковки части приборов по итогам измерений.

В статье по ссылке приводятся рекомендации - как проводить измерения этого параметра, и что следует учитывать в ходе измерений.


Новое сообщение:
Complete in 5 ms, lookup=0 ms, find=5 ms

Последние сообщения в форумах

Ничего не найдено.

Все форумы »



Поиск по сайту:

Подписка:

Подписаться
Отписаться


Новости

28.05. [Новинки] Анонсы: Motorola анонсировала Edge 2025 с новым AI Key / MForum.ru

27.05. [Новинки] Слухи: Moto G96 замечен на рендерах / MForurm.ru

27.05. [Новинки] Слухи: Samsung Galaxy A57 будет базироваться на SoC Exynos 1680 / MForum.ru

27.05. [Новинки] Анонсы: iQOO Neo 10 появился в Индии / MForum.ru

26.05. [Новинки] Слухи: Vivo T4 Ultra может быть представлен уже в июне / MForum.ru

26.05. [Новинки] Анонсы: Honor 400 и Honor 400 Pro с 200 Мп камерой представлены официально / MForum.ru

23.05. [Новинки] Анонсы: Новая версия Xiaomi Watch S4 использует специальный чипсет Xring T1 / MForum.ru

23.05. [Новинки] Анонсы: Представлен Xiaomi Pad 7 Ultra с 14-дюймовым OLED-дисплеем и чипсетом Xring O1 / MForum.ru

23.05. [Новинки] Анонсы: Samsung Galaxy A25 и Galaxy Tab S6 Lite (2024) обновят до Android 15 с One UI 7 / MForum.ru

22.05. [Новинки] Анонсы: Представлен игровой планшет Infinix Xpad GT с 13-дюймовым дисплеем 144 Гц и Snapdragon 888 / MForum.ru

22.05. [Новинки] Анонсы: Представлен Infinix GT 30 Pro с Dimensity 8350 Ultimate, экраном 144 Гц и триггерами GT / MForum.ru

21.05. [Новинки] Слухи: Infinix GT 30 Pro замечен на «живых» фото / MForum.ru

21.05. [Новинки] Слухи: Использование Snapdragon 8 Elite 2 в Xiaomi 16 подтверждено официально / MForum.ru

20.05. [Новинки] Анонсы: Huawei представила Nova 14 Ultra со спутниковой связью и HarmonyOS 5 / MForum.ru

20.05. [Новинки] Анонсы: Huawei Nova 14 и Nova 14 Pro представлены официально / MForum.ru

19.05. [Новинки] Слухи: 22 мая Xiaomi представит собственный мобильный чипсет Xring 01 / MForum.ru

19.05. [Новинки] Слухи: Раскрыты дата анонса Infinix XPad GT и его ключевые характеристики / MForum.ru

16.05. [Новинки] Анонсы: Vivo V50 Elite Edition в комплекте с Vivo TWS 3e Buds появился в Индии / MForum.ru

15.05. [Новинки] Компоненты: MediaTek Dimensity 9400e представлен официально / MForum.ru

15.05. [Новинки] Анонсы: Oppo Pad SE официально представлен в Малайзии / MForum.ru